64-1318-32 ［取扱停止］MOSFET FDPF4N60NZ
64-1318-32 取扱停止 メーカー公式ショップ MOSFET FDPF4N60NZ 2730円 64-1318-32 ［取扱停止］MOSFET FDPF4N60NZ 研究用総合機器 電子 電気部品・制御機器 電子部品・電源・コネクタ 半導体 ディスクリート カテゴリ一覧 研究用総合機器 電子 電気部品・制御機器 アールエスコンポーネンツ 2730円 64-1318-32 ［取扱停止］MOSFET FDPF4N60NZ 研究用総合機器 電子 電気部品・制御機器 電子部品・電源・コネクタ 半導体 ディスクリート カテゴリ一覧 研究用総合機器 電子 電気部品・制御機器 アールエスコンポーネンツ 64-1318-32 取扱停止 メーカー公式ショップ MOSFET FDPF4N60NZ 64-1318-32 ［取扱停止］MOSFET FDPF4N60NZ,研究用総合機器 , 電子 電気部品・制御機器 , 電子部品・電源・コネクタ , 半導体 , ディスクリート , カテゴリ一覧 , 研究用総合機器 , 電子 電気部品・制御機器 , アールエスコンポーネンツ,gcnarratives.com,/glare825803.html,2730円 64-1318-32 ［取扱停止］MOSFET FDPF4N60NZ,研究用総合機器 , 電子 電気部品・制御機器 , 電子部品・電源・コネクタ , 半導体 , ディスクリート , カテゴリ一覧 , 研究用総合機器 , 電子 電気部品・制御機器 , アールエスコンポーネンツ,gcnarratives.com,/glare825803.html,2730円
2730円
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特徴
- UniFETNチャンネルMOSFET、FairchildSemiconductor
- UniFETMOSFETは、FairchildSemiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲート-ソースESDダイオードにより、UniFET-IIMOSFETは2000VHBMを超えるサージストレスに耐えることができます。UniFETMOSFETは、力率補正（PFC）、フラットパネルディスプレイ（FPD）TV電源、ATX（AdvancedTechnologyeXtended）、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。
仕様
- 入数：1チューブ（50個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：3.8 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：600 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：2.5 Ω
- 最低ゲートしきい値電圧：3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-25 V, +25 V
- パッケージタイプ：TO-220F
- 実装タイプ：スルーホール
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- 最大パワー消費：28 W
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：145-4597